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发布时间：2023-05-01
收藏适用场景： 振荡器
解决的技术问题： 三次谐波所在的频率非常高，电路的寄生效应十分显著，恶化电路的整体性能，导致相噪的性能改善并不明显。二次谐波的逆F类振荡器的单匝多抽头电感占据较大芯片面积，较长的连接线带来额外的损耗，影响相噪性能并且增加成本。
说明书概要： 本发明公开了一种逆F类压控振荡器及芯片，其中振荡器包括：交叉耦合晶体管对，包括晶体管M1x和晶体管M1y，用于为振荡电路提供负阻，使振荡电路自激并产生包含谐波的振荡信号；多峰值谐振腔，用于为振荡电路提供基波阻抗峰值和二次谐波阻抗峰值，对振荡信号进行滤波；频率调谐模块，用于控制多峰值谐振腔中一端口和二端口的电容值大小，以控制谐振腔的基波和二次谐波谐振峰值所在的频率，进而控制振荡器输出振荡信号的频率。本发明中的多峰值谐振腔在晶体管漏极结点能够产生更强的二次谐波阻抗峰值，使晶体管漏极电压的二次谐波分量大幅增强，产生的振荡电压更加接近半正弦信号，降低了电路的相位噪声，可广泛应用于电子通信技术领域。
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